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                MIT科技評論:中芯國際14nm年內出貨,追上臺積電南京廠

                文章出處:網責任編輯:作者: 人氣:-發表時間:2019-08-13 15:53:00

                  中國中芯國際在去年宣布14nm FinFET制程研發成功后,今年將如期開始出貨貢獻營收,正式追上臺積電南京12寸晶圓廠的16nm工藝,而《麻省理工科技評論》分析,中芯國際半導體制程大躍進功臣,即是聯合首席執行官梁孟松。

                  曾任臺積電前研發處長的梁孟松,先前也曾轉投三星,之后才輾轉到中芯國際效力,而梁孟松到中芯國際短短不到10 個月的時間,就令中芯卡關3 年多的14 nm制程獲得突破,甚至在今年開始貢獻營收。

                  《麻省理工科技評論》指出,梁孟松主要為中芯國際帶來了「孟松三箭」:

                  第一箭是首顆采用FinFET 制程制造的14 nm芯片,創下中國首顆FinFET 制程自產芯片之里程碑,中芯國際14 nm FinFET 工藝將同時瞄準全球客戶,不是只有國內的IC 設計客戶,目前已經有超過10 個流片客戶數量。

                  第二箭是12nm 工藝,主要是強化第一代FinFET 技術,而也已經進入客戶的導入階段,預計年底將有幾個客戶進行流片。

                  第三支箭是第二代FinFET 工藝,暫定N+1 技術世代,目前也密集與客戶接觸討論此中商機,未來應用領域包括處理器、汽車電子、人工智能等。

                  臺積電南京12 寸晶圓廠16 nm芯片量產時,是中國大陸地區最高階的工藝技術,而當時中芯國際最高階技術僅是28 nm。

                  而未來,臺積電針對16 nm的微縮版本12 nm工藝,也將轉移至南京廠,但日程未定;而中芯方面,已計劃年底小量生產14 nm,再由12 nm接棒,計劃追趕上臺積電南京廠。

                  中芯國際在8 月8 日的董事會后也已宣布新的獨立董事人選,原本該職位是由前臺積電共同營運長蔣尚義擔任,隨著蔣尚義請辭赴武漢弘芯擔任首席執行官,該職務空出,故中芯國際宣布,改由前臺積電研發處長楊光磊出任。

                  對于中芯14 nm制程已獲得突破,甚至今年開始貢獻營收,市場多有議論是否中芯可能追趕上臺積電技術,據業內人士透露,目前臺積電領先中芯國際不只三代的制程,中芯量產14 nm工藝芯片對臺積電來說,其實影響不大。

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