MIT科技評論：中芯國際14nm年內出貨，追上臺積電南京廠

　　中國中芯國際在去年宣布14nm FinFET制程研發成功后，今年將如期開始出貨貢獻營收，正式追上臺積電南京12寸晶圓廠的16nm工藝，而《麻省理工科技評論》分析，中芯國際半導體制程大躍進功臣，即是聯合首席執行官梁孟松。

　　曾任臺積電前研發處長的梁孟松，先前也曾轉投三星，之后才輾轉到中芯國際效力，而梁孟松到中芯國際短短不到10 個月的時間，就令中芯卡關3 年多的14 nm制程獲得突破，甚至在今年開始貢獻營收。

　　《麻省理工科技評論》指出，梁孟松主要為中芯國際帶來了「孟松三箭」：

　　第一箭是首顆采用FinFET 制程制造的14 nm芯片，創下中國首顆FinFET 制程自產芯片之里程碑，中芯國際14 nm FinFET 工藝將同時瞄準全球客戶，不是只有國內的IC 設計客戶，目前已經有超過10 個流片客戶數量。

　　第二箭是12nm 工藝，主要是強化第一代FinFET 技術，而也已經進入客戶的導入階段，預計年底將有幾個客戶進行流片。

　　第三支箭是第二代FinFET 工藝，暫定N+1 技術世代，目前也密集與客戶接觸討論此中商機，未來應用領域包括處理器、汽車電子、人工智能等。

　　臺積電南京12 寸晶圓廠16 nm芯片量產時，是中國大陸地區最高階的工藝技術，而當時中芯國際最高階技術僅是28 nm。

　　而未來，臺積電針對16 nm的微縮版本12 nm工藝，也將轉移至南京廠，但日程未定；而中芯方面，已計劃年底小量生產14 nm，再由12 nm接棒，計劃追趕上臺積電南京廠。

　　中芯國際在8 月8 日的董事會后也已宣布新的獨立董事人選，原本該職位是由前臺積電共同營運長蔣尚義擔任，隨著蔣尚義請辭赴武漢弘芯擔任首席執行官，該職務空出，故中芯國際宣布，改由前臺積電研發處長楊光磊出任。

　　對于中芯14 nm制程已獲得突破，甚至今年開始貢獻營收，市場多有議論是否中芯可能追趕上臺積電技術，據業內人士透露，目前臺積電領先中芯國際不只三代的制程，中芯量產14 nm工藝芯片對臺積電來說，其實影響不大。

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